Références fabricant

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

N° de stock RS:: 178-3944
Référence fabricant:: SiZ350DT-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

3,63 €

(TVA exclue)

4,39 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Dernier stock RS

2 770 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 +	0,363 €	3,63 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 178-3944
Référence fabricant:: SiZ350DT-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	16.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.1nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	3mm
	Height	0.75mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 16.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 3mm
	Height 0.75mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: TW

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized

combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates

efficiency for high frequency switching

APPLICATIONS

Synchronous buck

DC/DC conversion

Half bridge

POL

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.