Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 80.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR186LDP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 228-2896
- Référence fabricant:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- N° de stock RS:
- 228-2896
- Référence fabricant:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0044Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0044Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 60 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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