Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF

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N° de stock RS:
919-4498
Référence fabricant:
IRFD110PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.29mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Height

3.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Pays d'origine :
PH
FEATURES

• TrenchFET® power MOSFET

• Package with low thermal resistance

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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