Références fabricant

Vishay Single IRFD 1 Type P-Channel MOSFET, 700 mA, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD9110PBF

N° de stock RS:: 178-0920
Référence fabricant:: IRFD9110PBF
Fabricant:: Vishay

Vishay Single IRFD 1 Type P-Channel MOSFET, 700 mA, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD9110PBF

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-0920
Référence fabricant:: IRFD9110PBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Transistor Configuration	Single
	Series	IRFD
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	700 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	100 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	4
	Package Type	HVMDIP
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	-5.5 V
	Height	3.37 mm
	Length	5 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	1.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	1.3 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Through Hole
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.7 nC
	Width	6.29 mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Transistor Configuration Single
	Series IRFD
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 700 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 100 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 4
	Package Type HVMDIP
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) -5.5 V
	Height 3.37 mm
	Length 5 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 1.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 1.3 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Through Hole
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.7 nC
	Width 6.29 mm

Datasheet

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes

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