- N° de stock RS:
- 177-6458
- Référence fabricant:
- R6520ENX
- Fabricant:
- ROHM
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Ajouté
Prix L'unité (en paquet de 2)
2,53 €
(TVA exclue)
3,06 €
(TVA incluse)
Unité | Prix par unité | le paquet* |
2 - 8 | 2,53 € | 5,06 € |
10 - 48 | 2,225 € | 4,45 € |
50 - 98 | 2,165 € | 4,33 € |
100 - 248 | 2,105 € | 4,21 € |
250 + | 2,06 € | 4,12 € |
*prix conseillé |
- N° de stock RS:
- 177-6458
- Référence fabricant:
- R6520ENX
- Fabricant:
- ROHM
Documentation technique
Législations et de normes
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- JP
Détails du produit
R6520ENX is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
Spécifications
Attribut | Valeur |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Series | R6520ENX |
Package Type | TO-220FM |
Mounting Type | Through Hole |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Power Dissipation | 68 W |
Transistor Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Length | 10.3mm |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Width | 4.8mm |
Forward Diode Voltage | 1.5V |
Height | 15.4mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |