Références fabricant

onsemi FCP Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 172-3424
Référence fabricant:: FCP067N65S3
Fabricant:: onsemi

onsemi FCP Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Sous-total (1 tube de 800 unités)*

2 620,00 €

(TVA exclue)

3 170,40 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

1 600 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
800 +	3,275 €	2 620,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 172-3424
Référence fabricant:: FCP067N65S3
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	FCP
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	67mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	78nC
	Maximum Power Dissipation Pd	312W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7 mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	16.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series FCP
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC
	Maximum Power Dissipation Pd 312W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7 mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 16.3mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.

700 V @ TJ = 150 oC

Higher system reliability at low temperature operation

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 30 nC)

Lower switching loss

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 277 pF)

Lower switching loss

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Internal Gate resistance: 7.0 ohm

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Typ. RDS(on) = 170 mΩ

Wave soldering guarantee

Computing

Consumer

Industrial

Telecom / Server

Solar inverter / UPS

EVC

Automation

onsemi FCP Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes