Références fabricant

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 195-2515
Référence fabricant:: NTP095N65S3HF
Fabricant:: onsemi

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 195-2515
Référence fabricant:: NTP095N65S3HF
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	272W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	66nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7mm
	Height	9.4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 272W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7mm
	Height 9.4mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTP095N65S3HF

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.