Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K335R

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N° de stock RS:
171-2542
Référence fabricant:
SSM3K335R
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.8 mm

Length

2.9mm

Height

0.7mm

Number of Elements per Chip

1

Pays d'origine :
TH
4.5-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

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