Références fabricant

Toshiba Single 1 N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K335R

N° de stock RS:: 171-2542
Référence fabricant:: SSM3K335R
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Single 1 N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K335R

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 171-2542
Référence fabricant:: SSM3K335R
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	56mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Height	0.7mm
	Width	1.8mm
	Number of Elements per Chip	1

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	Marque Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Height 0.7mm
	Width 1.8mm
	Number of Elements per Chip 1

Pays d'origine :: TH

4.5-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

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