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Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R

N° de stock RS:: 171-2471
Référence fabricant:: SSM3K339R
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R

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N° de stock RS:: 171-2471
Référence fabricant:: SSM3K339R
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	390mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	2.9mm
	Height	0.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 390mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 2.9mm
	Height 0.7mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: TH

Power Management Switches

DC-DC Converters

1.8-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R

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