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Toshiba Single N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K333R

N° de stock RS:: 171-2399
Référence fabricant:: SSM3K333R
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Single N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K333R

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 171-2399
Référence fabricant:: SSM3K333R
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Transistor Configuration	Single
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	6 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	30 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	SOT-23
	Height	800 μm
	Length	2.9 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	42 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	2 W
	Mount Type	Surface
	Width	1.8 mm

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	Marque Toshiba
	Transistor Configuration Single
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 6 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 30 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type SOT-23
	Height 800 μm
	Length 2.9 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 42 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 2 W
	Mount Type Surface
	Width 1.8 mm

Pays d'origine :: TH

4.5V drive

Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

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