Toshiba Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK100S04N1L

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

8,90 €

(TVA exclue)

10,75 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 515 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 201,78 €8,90 €
25 - 951,526 €7,63 €
100 - 9951,336 €6,68 €
1000 +1,188 €5,94 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
171-2499
Référence fabricant:
TK100S04N1L
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Maximum Power Dissipation Pd

180W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

7 mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
JP
Applications

Automotive

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

Liens connexes