Toshiba Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK100S04N1L
- N° de stock RS:
- 171-2499
- Référence fabricant:
- TK100S04N1L
- Fabricant:
- Toshiba
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- N° de stock RS:
- 171-2499
- Référence fabricant:
- TK100S04N1L
- Fabricant:
- Toshiba
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 180W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 180W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- JP
Applications
Automotive
Switching Voltage Regulators
Motor Drivers
Features
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)
Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
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