Toshiba Type P-Channel MOSFET, 15 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

746,00 €

(TVA exclue)

902,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 - 20000,373 €746,00 €
4000 - 80000,344 €688,00 €
10000 +0,319 €638,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
171-2412
Référence fabricant:
TJ15P04M3
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

48mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

7.18 mm

Length

6.6mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.1 mA)

Applications:

Motor Drivers

Power Management Switches

Liens connexes