Références fabricant

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 171-2428
Référence fabricant:: TK65S04N1L
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

1 692,00 €

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2000 +	0,846 €	1 692,00 €

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N° de stock RS:: 171-2428
Référence fabricant:: TK65S04N1L
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: JP

Applications

Automotive

Motor Drivers

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

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