Toshiba Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK60S06K3L

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171-2481
Référence fabricant:
TK60S06K3L
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Length

6.5mm

Width

7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
JP
Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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