Toshiba Type P-Channel MOSFET, 15 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ15P04M3

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171-2473
Référence fabricant:
TJ15P04M3
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

48mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

No

Width

7.18 mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
CN
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.1 mA)

Applications:

Motor Drivers

Power Management Switches

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