Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK31E60X,S1X(S

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N° de stock RS:
125-0563
Référence fabricant:
TK31E60X,S1X(S
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.45 mm

Length

10.16mm

Height

15.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
JP

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba


MOSFET Transistors, Toshiba


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