Toshiba TK099V65Z Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 5-Pin DFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

10 960,00 €

(TVA exclue)

13 262,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 30 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +4,384 €10 960,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
206-9729
Référence fabricant:
TK099V65Z,LQ(S
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

TK099V65Z

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.5mm

Width

8 mm

Length

8mm

Automotive Standard

No

The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.

Low drain-source on-resistance 0.08 ?

Storage temperature -55 to 150°C

Liens connexes