Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSATMA1

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171-1961
Référence fabricant:
BSC014N04LSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Width

6.15 mm

Standards/Approvals

J-STD20 and JESD22

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon BSC014N04LS is the optiMOS power-MOSFET having PG-TDSON-8 type package. It has perfect switching behaviour for fast switching applications.

Very low on-state resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

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