Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSATMA1

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N° de stock RS:
273-2625
Référence fabricant:
BSC010N04LSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

95nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

139W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.35 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Length

6.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for synchronous rectification and it has higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection. It is a qualified according to JEDEC for target applications.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

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