Références fabricant

Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 4-Pin MX IRF7946TRPBF

N° de stock RS:: 168-5976
Référence fabricant:: IRF7946TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 4-Pin MX IRF7946TRPBF

Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*

4 948,80 €

(TVA exclue)

5 990,40 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 20 avril 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
4800 +	1,031 €	4 948,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 168-5976
Référence fabricant:: IRF7946TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	198A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	DirectFET
	Package Type	MX
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	141nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.05mm
	Length	6.35mm
	Height	530μm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 198A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series DirectFET
	Package Type MX
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 141nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.05mm
	Length 6.35mm
	Height 530μm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low R_DS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness Ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.