Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 168-5909
- Référence fabricant:
- IPD50R380CEAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 072,50 €
(TVA exclue)
1 297,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,429 € | 1 072,50 € |
| 5000 + | 0,407 € | 1 017,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 168-5909
- Référence fabricant:
- IPD50R380CEAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 380mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 98W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.41mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Series CoolMOS CE | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 380mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 98W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.41mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Liens connexes
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 550 V, 3-Pin DPAK IPD50R380CEAUMA1
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 550 V, 3-Pin TO-220 IPP50R380CEXKSA1
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R1K0CEATMA1
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin DPAK IPD50R650CEAUMA1
- Infineon CoolMOS™ N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin DPAK IPD50R800CEAUMA1
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R1K0CEAUMA1
- Infineon CoolMOS™ N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin DPAK SPD06N80C3ATMA1
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R1K4CEATMA1
