Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R380CEAUMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

8,46 €

(TVA exclue)

10,24 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 50 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 180 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 400,846 €8,46 €
50 - 4900,805 €8,05 €
500 - 9900,581 €5,81 €
1000 - 24900,481 €4,81 €
2500 +0,47 €4,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
130-0897
Référence fabricant:
IPD50R380CEAUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

14.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

550V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

380mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

98W

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes