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onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 13 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6670A

N° de stock RS:: 671-0582
Référence fabricant:: FDS6670A
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 13 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6670A

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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5 +	0,242 €	1,21 €

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N° de stock RS:: 671-0582
Référence fabricant:: FDS6670A
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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