Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR401DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-6938
Référence fabricant:: SIR401DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

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N° de stock RS:: 165-6938
Référence fabricant:: SIR401DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	205nC
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-12V, +12V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.26mm
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 205nC
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.26mm
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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