Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR401DP-T1-GE3

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787-9342
Référence fabricant:
SIR401DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

205nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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