Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

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N° de stock RS:
165-6614
Référence fabricant:
IRLML2246TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

236mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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