Références fabricant

Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.9 A, -20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB75UPEZ

N° de stock RS:: 153-1936
Référence fabricant:: PMXB75UPEZ
Fabricant:: Nexperia

Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.9 A, -20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB75UPEZ

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250 - 1200	0,101 €	5,05 €
1250 - 2450	0,08 €	4,00 €
2500 - 3700	0,078 €	3,90 €
3750 +	0,076 €	3,80 €

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N° de stock RS:: 153-1936
Référence fabricant:: PMXB75UPEZ
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-20V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	950mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	8.33W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.36mm
	Length	1.15mm
	Width	1.05 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -20V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 8.33W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.36mm
	Length 1.15mm
	Width 1.05 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 69 mΩ

Very low gate-source threshold voltage for portable applications VGS(th) = -0.68 V

High-side load switch and charging switch for portable devices

Power management in battery driven portables

LED driver

DC-to-DC converter

Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.9 A, -20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB75UPEZ

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