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Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.4 A, -30 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB120EPEZ

N° de stock RS:: 151-3227
Référence fabricant:: PMXB120EPEZ
Fabricant:: Nexperia

Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.4 A, -30 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB120EPEZ

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N° de stock RS:: 151-3227
Référence fabricant:: PMXB120EPEZ
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-2.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	187mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	8.33W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.2nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.05mm
	Standards/Approvals	No
	Length	1.15mm
	Height	0.36mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -2.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 187mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 8.33W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.05mm
	Standards/Approvals No
	Length 1.15mm
	Height 0.36mm
	Automotive Standard No

P-channel MOSFETs, The perfect fit for your design when N-channels simply aren’t suitable, Our extensive MOSFET catalog also includes many P-channel device families, based on Nexperia’s leading Trench technology. Rated from 12 V to 70 V and housed in low- and medium-power packages, they offer our familiar blend of high efficiency and high reliability.

30 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 350 mΩ

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