Nexperia Type N-Channel MOSFET, 6.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV20XNEAR

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153-0781
Référence fabricant:
PMV20XNEAR
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.9nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.94W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

20 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

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