Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 23 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB IRFB23N15DPBF

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N° de stock RS:
145-9696
Référence fabricant:
IRFB23N15DPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

37 nC @ 10 V

Length

10.54mm

Width

4.69mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

19.3mm

Pays d'origine :
PH

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