Références fabricant

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 62 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRFB4510PBF

N° de stock RS:: 145-8641
Référence fabricant:: IRFB4510PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 62 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRFB4510PBF

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

63,15 €

(TVA exclue)

76,40 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 +	1,263 €	63,15 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 145-8641
Référence fabricant:: IRFB4510PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	62 A
	Maximum Drain Source Voltage	100 V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220AB
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	13.5 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	4V
	Minimum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	140 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Length	10.67mm
	Transistor Material	Si
	Width	4.83mm
	Number of Elements per Chip	1
	Typical Gate Charge @ Vgs	58 nC @ 10 V
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Height	9.02mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 62 A
	Maximum Drain Source Voltage 100 V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220AB
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 13.5 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 4V
	Minimum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 140 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Length 10.67mm
	Transistor Material Si
	Width 4.83mm
	Number of Elements per Chip 1
	Typical Gate Charge @ Vgs 58 nC @ 10 V
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Height 9.02mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

Pays d'origine :: CN

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 62 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRFB4510PBF

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