Renesas N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3 + Tab-Pin TO-3P 2SK1339-E

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N° de stock RS:
124-3649
Référence fabricant:
2SK1339-E
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

4.8mm

Number of Elements per Chip

1

Length

15.6mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

0.9V

Height

19.9mm

Pays d'origine :
JP

N-Channel High Voltage MOSFETs 150V and Over, Renesas Electronics



MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)

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