STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 15 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 201-4467
- Référence fabricant:
- STF16N90K5
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
187,05 €
(TVA exclue)
226,35 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,741 € | 187,05 € |
| 100 - 200 | 3,695 € | 184,75 € |
| 250 - 450 | 3,649 € | 182,45 € |
| 500 - 950 | 3,606 € | 180,30 € |
| 1000 + | 3,563 € | 178,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 201-4467
- Référence fabricant:
- STF16N90K5
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SiC MOSFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 330mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 16mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SiC MOSFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 330mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 16mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics N-channel 900 V, 280 mO typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package is based on an innovative proprietary vertical structure.
Ultra-low gate charge
100% avalanche tested
Zener-protected