Renesas N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 4+Tab-Pin LFPAK RJK0852DPB-WS#J5

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N° de stock RS:
124-3703
Référence fabricant:
RJK0852DPB-WS#J5
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Package Type

LFPAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4+Tab

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

55 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 4.5 V

Length

5.3mm

Width

3.95mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Height

1.03mm

Forward Diode Voltage

1.1V

N-Channel Low Voltage MOSFETs up to 140V, Renesas Electronics



MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)

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