Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN 2SK1835-E

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234-7062
Référence fabricant:
2SK1835-E
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1500V

Package Type

TO-3PN

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5mm

Standards/Approvals

No

Length

15.9mm

Width

20.1 mm

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics silicon N-channel MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 1500 V. It is also suitable for switching regulator.

Low on-resistance

High-speed switching

High-robustness

Low drive current

No secondary breakdown

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