Microchip MSCSMC N-Channel MOSFET Modules, 236 A, 1200 V Enhancement Mode, 33-Pin Module MSCSMC120AM04TBZ2EG
- N° de stock RS:
- 931-017
- Référence fabricant:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Fabricant:
- Microchip
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 931-017
- Référence fabricant:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Fabricant:
- Microchip
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 236A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Module | |
| Series | MSCSMC | |
| Mount Type | Direct | |
| Pin Count | 33 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 726nC | |
| Forward Voltage Vf | 4.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 21V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 604W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 62.8mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Length | 56.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 236A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Module | ||
Series MSCSMC | ||
Mount Type Direct | ||
Pin Count 33 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 726nC | ||
Forward Voltage Vf 4.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 21V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 604W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 62.8mm | ||
Height 16.4mm | ||
Length 56.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Advanced silicon carbide power module delivers exceptional performance in high-efficiency applications, particularly in demanding environments requiring robust power management and thermal capabilities.
SiC technology ensures low switching and conduction losses
Integrated thermistor facilitates effective temperature monitoring
Low thermal resistance allows efficient heat dissipation
Ultra low weight and profile contribute to design flexibility