Microchip MSCSM N-Channel Module, 251 A, 1200 V MSCSMG120ANPCM11TPAG

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N° de stock RS:
813-787
Référence fabricant:
MSCSMG120ANPCM11TPAG
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Product Type

Module

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

251A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MSCSM

Mount Type

PCB

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.4mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

1042W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

123nC

Forward Voltage Vf

4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

17.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

108mm

Height

62mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Microchip High-Performance Silicon Carbide Power Module delivers elite efficiency for demanding industrial applications. This rugged module optimises energy conversion while minimising switching losses in high-frequency environments.

Incorporates IGBT7 for reduced voltage drop and minimal leakage current

Features internal thermistor for precise temperature monitoring

Designed with low stray inductance for optimal performance

Includes solderable terminals for ease of PCB mounting in low-profile applications

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