Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -30 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQJ951EP-T1_NE3
- N° de stock RS:
- 904-970
- Référence fabricant:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 904-970
- Référence fabricant:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.017Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.13mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.017Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.13mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- GB
The Vishay high-performance automotive dual P-channel MOSFET designed for efficient power management in applications requiring robust performance and thermal stability.
AEC-Q101 qualified for automotive standards
TrenchFET technology ensures low on-resistance
Fully tested for reliability under stringent conditions
Lead-free and halogen-free construction supports environmental compliance
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