STMicroelectronics N Channel Mosfet STH4N150 N-Channel Power MOSFET, 2.6 A, 1500 V MOSFET, 3-Pin H2PAK-2 STH4N150-2AG

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N° de stock RS:
881-431
Référence fabricant:
STH4N150-2AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1500V

Series

STH4N150

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

MOSFET

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

N Channel Mosfet

Length

10.4mm

Width

4.7mm

Height

15.8mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET developed by using the PowerMESH technology. This device is designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive market.

Very low gate charge

100% avalanche tested

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