STMicroelectronics STripFET F6 N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 3-Pin H2PAK STH175N4F6-2AG

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N° de stock RS:
876-5660
Référence fabricant:
STH175N4F6-2AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

H2PAK

Series

STripFET F6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Width

9.17mm

Length

10.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

4.8mm

Pays d'origine :
CN

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