STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH3N150-2

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N° de stock RS:
103-2012
Référence fabricant:
STH3N150-2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1500V

Package Type

H2PAK

Series

MDmesh

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Height

4.8mm

Width

15.8mm

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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