STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH2N120K5-2AG

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 ruban de 2 unités)*

9,41 €

(TVA exclue)

11,386 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 578 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le ruban*
2 - 184,705 €9,41 €
20 - 983,83 €7,66 €
100 - 1982,915 €5,83 €
200 +2,59 €5,18 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
151-438
Référence fabricant:
STH2N120K5-2AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-2

Series

MDmesh K5

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.7mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.