Vishay S N-Channel MOSFET, 28 A, 650 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK135N65S-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 878-898
- Référence fabricant:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Series | S | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.121Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Series S | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.121Ω | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay Power MOSFET designed to manage switching and conduction efficiently, making it an essential component for various power supply applications.
Latest generation SF series technology, ensuring optimal performance
Low figure of merit (FOM) for enhanced energy efficiency
Avalanche energy rated, offering improved reliability under stress
Single Pulse avalanche energy capacity, catering to demanding applications
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