onsemi BSS N-Channel MOSFET, 0.22 A, 50 V, 3-Pin SOT-23-3 BSS138-G

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838-663
Référence fabricant:
BSS138-G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

50V

Package Type

SOT-23-3

Series

BSS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Forward Voltage Vf

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Width

1.3mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

No

The onsemi N-Channel enhancement mode field effect transistor is designed for efficient performance in low voltage applications. It delivers reliable switching capabilities and minimal on-state resistance for a variety of electronic uses.

Supports a continuous drain current of 0.22 A and a pulsed drain current of 0.88 A

Exhibits a low on-resistance of 3.5 Ω at gate voltage of 10 V

Operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C

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