Vishay TrenchFET Gen IV N channel-Channel MOSFET, 461 A, 60 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4610-T1-GE3

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N° de stock RS:
790-428
Référence fabricant:
SIJK4610-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

461A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0012Ω

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

446W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

12mm

Width

10mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay N Channel MOSFET delivers superior performance for various applications. With a robust design, it minimises power loss and offers exceptional conduction efficiency, making it Ideal for power management systems.

Operating voltage rating of 60 V enhances system reliability

Features low on-state resistance for reduced power dissipation

Kelvin connection significantly lowers gate noise interference

Robust continuous drain current capability of 77 A ensures optimal performance

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