ROHM N channel-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1G10BBGTL1
- N° de stock RS:
- 780-361
- Référence fabricant:
- RJ1G10BBGTL1
- Fabricant:
- ROHM
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.85mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.36mm | |
| Width | 8.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 4.77mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263AB-3LSHYAD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.85mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.36mm | ||
Width 8.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 4.77mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive and industrial power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for high-voltage applications, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments.
Drain to source voltage of 100 V
Continuous drain current of 12 A
Compact DFN2020Y package
Automotive AEC-Q101 qualification
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