Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET, 122 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB020N03LF2SATMA1
- N° de stock RS:
- 762-989
- Référence fabricant:
- IPB020N03LF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
2,88 €
(TVA exclue)
3,48 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 799 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,88 € |
| 10 - 99 | 1,87 € |
| 100 - 499 | 1,28 € |
| 500 - 799 | 1,13 € |
| 800 + | 0,97 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 762-989
- Référence fabricant:
- IPB020N03LF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 122A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Series | StrongIRFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 15.88mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 122A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Series StrongIRFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.67mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 15.88mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 Power Transistor is a 30V N-channel MOSFET suitable for various applications. It operates in extreme conditions, with a maximum temperature rating of 175°C and conforms to environmental regulations.
100% avalanche tested
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Liens connexes
- Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB023N03LF2SATMA1
- Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1
- Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1