Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1

Visuel non contractuel

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

3,11 €

(TVA exclue)

3,76 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 93,11 €
10 - 992,02 €
100 - 4991,39 €
500 - 7991,22 €
800 +1,04 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
762-987
Référence fabricant:
IPB018N03LF2SATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

StrongIRFET

Package Type

PG-TO263-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.88mm

Height

4.83mm

Width

10.67mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Infineon StrongIRFET 2 Power Transistor is a 30V N-channel MOSFET suitable for various applications. It operates in extreme conditions, with a maximum temperature rating of 175°C and conforms to environmental regulations.

100% avalanche tested

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.