Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1

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N° de stock RS:
273-2997
Référence fabricant:
IPB057N06NATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO263-3

Series

IPB057N06N

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Minimum Operating Temperature

-5°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.5mm

Width

40 mm

Standards/Approvals

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Length

40mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl

Highest system efficiency

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