Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 104 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R011M2HXKSA1

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762-965
Référence fabricant:
IMW40R011M2HXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

85nC

Maximum Power Dissipation Pd

341W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Forward Voltage Vf

4.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.8mm

Height

4.83mm

Width

15.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectification. It use .XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance and the recommended gate driving voltage 0 V to 18 V.

Commutation robust fast body diode

100% avalanche tested

Qualified for industrial applications

400V operating voltage

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